[发明专利]半导体发光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200810190645.0 | 申请日： | 2008-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101478020A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 冈贵郁;楠政谕;川崎和重;阿部真司;佐久间仁 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/042 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 闫小龙;刘春元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及具有Pd电极的半导体发光元件的制造方法，其目的在于提供一种半导体发光元件的制造方法，能够以简易方法回避剥落的绝缘膜上Pd电极向半导体发光元件表面上的附着所引起的成品率降低、焊盘电极未形成部分的发生、p型接触层与焊盘电极接触的问题。该方法具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在该开口部和该绝缘膜上形成Pd电极的工序；对该绝缘膜上的该Pd电极施加物理的力，在残留该开口部的该Pd电极的状态下，将该绝缘膜上的该Pd电极剥离并除去的剥离工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体发光元件的制造方法，其特征在于，具备：在半导体上形成具有开口部的绝缘膜的工序；在上述开口部和上述绝缘膜上形成Pd电极的工序；以及对上述绝缘膜上的上述Pd电极附加物理的力，在残留上述开口部的上述Pd电极的状态下，将上述绝缘膜上的上述Pd电极剥离并除去的剥离工序。
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