[发明专利]光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置有效
申请号: | 200810190755.7 | 申请日: | 2008-12-24 |
公开(公告)号: | CN101477995A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 近江俊彦;中田太郎 | 申请(专利权)人: | 精工电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144;H01L23/552;G01J1/42;G09G5/10 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 柯广华;王丹昕 |
地址: | 日本千叶*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明名称为光电检测半导体器件、光电检测器和图像显示装置。透射待检测的光并且具有导电性的屏蔽设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上,以防止光电二极管(1和2)由于从外部进入的电磁波而感生电荷。具有取决于光的波长的透光率的两种滤光件分别设置在光电二极管(1和2)的光接收表面上,从而取它们光谱特性之间的差。屏蔽和滤光件可由例如多晶硅或者给定导电类型的半导体薄膜来制成,并且可易于通过将那些制造工艺结合到半导体制造工艺中来制造。 | ||
搜索关键词: | 光电 检测 半导体器件 检测器 图像 显示装置 | ||
【主权项】:
1. 一种光电检测半导体器件,包括:第一光接收元件,其具有第一导电类型的半导体衬底以及由第二导电类型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面给定深度来设置的第一导通层;第二光接收元件,其具有所述半导体衬底以及由所述第二导电类型的半导体形成的以距离所述半导体衬底表面所述给定深度来设置的第二导通层;第一滤光层,其具有依赖于光的波长的透光率,其设置在所述第一导通层表面上;以及第二滤光层,其透光率的依赖关系与所述第一滤光层的依赖关系不同,其设置在所述第二导电层表面上,其中,通过使用所述第一光接收元件中积累的电荷与所述第二光接收元件中积累的电荷之间的差来检测光强度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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