[发明专利]利用现场等离子体激励对室进行清洗的方法和设备无效
| 申请号： | 200810190981.5 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101488447A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | J·黄;M·S·巴恩斯;T·布卢克 | 申请（专利权）人： | 因特瓦克公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/311;H05H1/24 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于对诸如半导体晶片、平板衬底、太阳能电池板等衬底进行处理，的衬底处理室，包括用于现场等离子体清洗的机构。室体具有至少一个设置在其侧壁上的等离子体源开口。可移动的衬底支架位于室体内，所述衬底支架处于其中衬底设置在等离子体源开口之下以对室进行现场等离子体清洗的第一位置、以及其中衬底设置在等离子体源开口之上以进行衬底处理的第二位置。等离子体能量源耦合到等离子体源开口。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 现场 等离子体 激励 进行 清洗 方法 设备 | ||
【主权项】：
1、一种衬底处理室，包括：室体，所述室体具有设置在其侧壁上的至少一个等离子体源开口；位于所述室体内的可移动的衬底支架，所述衬底支架处于其中衬底设置在所述等离子体源开口之下的第一位置、以及其中所述衬底设置在所述等离子体源开口之上的第二位置；耦合到所述等离子体源开口的等离子体源；耦合到所述室体以从其中抽吸流体的真空泵；耦合到所述室体以向其中注入气体的气体源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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