[发明专利]粘结的促进无效
申请号: | 200810190986.8 | 申请日: | 2008-12-12 |
公开(公告)号: | CN101533787A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | A·艾格利;尹志伟;黄永光 | 申请(专利权)人: | 罗门哈斯电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;C23F1/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张宜红 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种粘结的促进以及镍和镍合金层的刻蚀方法,尤其涉及半导体集成电路装置中模具与镀镍引线框架间的粘结促进。刻蚀组合物包括无机酸和杂环氮化合物。另外,上述刻蚀方法可以包括阳极刻蚀镍或镍合金层。该方法可以应用于半导体封装制造中。 | ||
搜索关键词: | 粘结 促进 | ||
【主权项】:
1、一种方法,包括:a)提供一种组合物,该组合物包括一种或多种无机酸,一种或多种杂环氮化合物;和b)将上述组合物施加于镍或镍合金层以刻蚀所述层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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