[发明专利]多晶硅—碳化硅叠层薄膜太阳能电池

摘要

本发明公开一种多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，属太阳能电池技术领域。该太阳能电池由玻璃衬底或者不锈钢衬底，在该衬底上通过磁控溅射沉积的透明导电氧化物层以及通过热丝化学气相沉积方法制备的二个叠接的薄膜子太阳能电池构成，其中一个子电池由p型碳化硅层/n型碳化硅层构成，另一个子电池由p型多晶硅层/n型多晶硅层构成。本发明的特点是由两种不同禁带宽度的硅基材料叠接组成，提高了对太阳光谱的利用率和光电转换效率。采用廉价衬底和低成本薄膜生长源材料，降低了太阳能电池的成本，使之具有与晶体硅太阳能电池的竞争优势。

主权项

1、一种多晶硅-碳化硅叠层薄膜太阳能电池，其特征在于：依次由玻璃衬底、在玻璃衬底上沉积的透明导电薄膜电极，在透明导电薄膜电极上通过热丝化学气相沉积生长的叠接在一起的下子电池和上子电池，以及上电极组成；其中透明导电薄膜下电极是是氧化铟锡(ITO)，或者铝掺杂氧化锌(AZO)或者氧化锡(SnO2)；其中下子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型碳化硅层/p型碳化硅层构成；其中上子电池由热丝化学气相沉积法生长的n型多晶硅层/p型多晶硅层构成；其中上电极为Al金属层，Al电极与上子电池之间有一层Ag金属反射层。