[发明专利]卤素制冷剂检测传感器敏感材料及气敏元件的制造方法

摘要

本发明涉及一种卤素制冷剂检测传感器敏感材料及其气敏元件制备方法，敏感材料分为两层，内层组分为SnO₂纳米材料；外层材料为负载有Pd量子点的介孔SiO₂。首先将SnO₂纳米粉体研磨后以适量去离子水调成糊状，均匀涂敷在厚膜元件表面，经过500℃退火处理2小时，元件表面均匀涂敷负载有0.1％－1％Pd量子点的介孔SiO₂增敏材料，再次经过500℃退火处理2小时，制得气敏元件。最后按厚膜半导体气敏元件制作工艺对气敏元件进行焊接、老化、封装、制得制冷剂R_134a检测传感器元件。本发明制得的气敏元件在卤素制冷剂检测中具有灵敏度高，稳定性好、响应恢复时间短的优点，可用于卤素制冷剂的检漏或检测领域。

主权项

1.一种卤素制冷剂检测传感器敏感材料，其特征在于包括内层SnO2纳米材料和外层增敏材料，内层SnO2纳米材料为四方晶系结构SnO2(JCPDS41-1445)，通过Scherrer公式计算得粒子平均尺寸为5.2nm；用下述方法制备：a.内层SnO2纳米材料的制备：以结晶四氯化锡SnCl4·5H2O为原料，配制成锡盐溶液A；将氨水和去离子水混合均匀得到溶液B；将溶液B在搅拌条件下，逐滴加入到溶液A中，控制pH＝2-7，滴定速度控制在1mL/min得到白色沉淀；将所得白色沉淀离心洗涤，烘干，在550℃的条件下煅烧2小时，制得内层SnO2纳米材料；所述锡盐溶液A是将每2.3g SnCl4·5H2O在搅拌条件下溶解于50-150ml去离子水中制得；所述溶液B中氨水和去离子水的体积比为1：1；b.外层增敏材料的制备：采用0.1％-1％Pd量子点浸渍掺杂介孔SiO2；即通过介孔SiO2负载Pd量子点制得。