[发明专利]FePt纳米颗粒单层膜与B4C复合结构的磁存储材料及其制备方法无效
| 申请号： | 200810197531.9 | 申请日： | 2008-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN101403098A | 公开（公告）日： | 2009-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王浩;汪汉斌;杨辅军 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/02;C23C14/58 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出一种铁铂纳米颗粒自组装单层膜与B4C复合的磁性记录材料及其制备方法，它是将粒径可调的单分散纳米FePt颗粒铺展在无机材料衬底上形成自组装单层膜结构，通过磁控溅射技术在单层膜上溅射一层厚度为10-50纳米的B4C保护层，B4C保护层将铁铂颗粒单层膜包容和保护起来，高温退火后，形成FePt纳米颗粒磁性相变和自组装稳定的复合膜磁性记录材料。本发明具有稳定性好，矫顽力高，集成度高，可重复性高等优点，能极大地提高记录密度。 | ||
| 搜索关键词： | fept 纳米 颗粒 单层 sub 复合 结构 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种铁铂纳米颗粒自组装单层膜与B4C复合的磁性记录材料，其特征在于将粒径可调的单分散纳米FePt颗粒铺展在无机材料衬底上形成自组装单层膜结构，通过磁控溅射技术在单层膜上溅射一层厚度为10-50纳米的B4C保护层，高温退火后，形成FePt纳米颗粒磁性相变和自组装稳定的复合膜磁性记录材料。
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