[发明专利]侧链含有咔唑的高分子/碳纳米管复合闪存材料及合成方法和用途无效

专利信息
申请号: 200810197685.8 申请日: 2008-11-18
公开(公告)号: CN101412794A 公开(公告)日: 2009-04-22
发明(设计)人: 李亮;柯贞将;鄢国平;郭庆中;渝湘华;吴江渝;程志毓;杜飞鹏 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C08F292/00 分类号: C08F292/00;C08F212/32;G11C16/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 代理人: 唐万荣
地址: 430074湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一类高分子/碳纳米管复合闪存材料及合成方法和用途。侧链含有咔唑的高分子/碳纳米管复合闪存材料,其特征在于它具有右方通式的化学结构,其中R为碳纳米管;X为Cl或Br;n=20-200。该复合闪存材料具有较低的开启电压和较高的开关电流比。
搜索关键词: 含有 高分子 纳米 复合 闪存 材料 合成 方法 用途
【主权项】:
1.侧链含有咔唑的高分子/碳纳米管复合闪存材料,其特征在于它具有以下通式的化学结构:其中R为碳纳米管;X为Cl或Br;n=20-200。
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