[发明专利]一种氮化镓外延层转移方法无效
| 申请号： | 200810198615.4 | 申请日： | 2008-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN101359709A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 崔国峰;丁坤 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓外延层转移方法，包括以下步骤：在附有基体的氮化镓层表面镀覆金属层；将上述基体嵌入模具中并使金属层处于模具内侧；用树脂填充模具与基体之间的空隙；将上述模具浸入腐蚀液，至基体完全被腐蚀。与现有技术相比，本发明克服了转移氮化镓层的同时腐蚀金属层的缺陷，也克服了腐蚀过程中释放大量的热造成材料变形和导致氮化镓膜层破裂的不足，而且本发明提供的方法工艺简单易于操作，转移后的氮化镓膜层制成的LED发光效率高，能耗低，使用寿命长，且生产成本较低，符合大规模工业应用的条件，有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 外延 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓外延层转移方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在附有基体的氮化镓层表面镀覆金属层；(2)将上述基体嵌入模具中并使金属层处于模具内侧；(3)用树脂填充模具与基体之间的空隙；(4)将上述模具浸入腐蚀液，至基体完全被腐蚀。
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