[发明专利]一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法。首先通过加入质子酸使铜酞菁发生质子化反应，然后加入有机溶液配成电解液，再用电沉积方法制备一种纳米铜酞菁薄膜。制备的一种纳米铜酞菁薄膜具有α相晶体结构，可通过调节铜酞菁溶液浓度、铜酞菁溶液温度、电压和电沉积时间来控制薄膜的形态和尺寸，所需的电压小(0.5～3V)，时间短(5～60分钟)，容易操作，成膜均匀，成本低，利于工业化生产。本发明可用于电导、传感、发光二极管、场效应晶体管和光电转化等领域。

主权项

1.一种纳米铜酞菁薄膜的制备方法，其特征在于制备方法如下，以下均以重量份来表示：(1)将2.88～28.8份铜酞菁和5700～11400份质子酸进行混合，再加入37200～40000份有机溶剂，超声波处理15～20分钟，配成浓度为1×10-4～1×10-3mol/L的铜酞菁溶液；(2)将正负电极放入上述配置的铜酞菁溶液中，正电极是铂电极，负电极是导电的金属片或透明的导电玻璃片，导电的金属片或透明的导电玻璃片在使用前依次在去离子水、丙酮、异丙酮、乙醇中超声波处理15～20分钟，烘干2～3小时，铜酞菁溶液的温度是20～60℃，使用0.5～3V的电压，电沉积5～60分钟，然后依次在氨水和去离子水中洗涤，再真空干燥3～4小时，在负极上得到一种纳米铜酞菁薄膜。