[发明专利]掺锰铝酸锂晶体的生长方法无效
| 申请号： | 200810201202.7 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101440515A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 腾浩;周圣明;林辉;王军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B15/02 | 分类号： | C30B15/02;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人： | 张泽纯 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种掺锰铝酸锂晶体的制备方法，包括下列步骤：(1)含锰铝酸锂原料的合成：以氧化铝、碳酸锂和二氧化锰为原料按化学配比配料，将原料充分混合均匀后压块，然后置于刚玉坩埚中预烧；(2)晶体的生长：将预烧后的原料放在铱金坩埚中，并放入晶体生长炉用提拉法生长掺锰铝酸锂晶体。经He-Ne激光照射，该Mn掺杂LiAlO2晶体中无明显散射颗粒，其结晶质量较高。晶体的热稳定性和抗水解性能比纯LiAlO2晶体也要好，可应用于非极性面GaN自支撑衬底的制备，也可望用于热释光探测器中。 | ||
| 搜索关键词： | 掺锰铝酸锂 晶体 生长 方法 | ||
【主权项】：
1、一种掺锰铝酸锂晶体的生长方法，其特征在于制备过程包括下列步骤：①掺锰铝酸锂晶体原料的合成：掺锰铝酸锂晶体的化学配比式为LiMnxAlO2，其中x的取值范围为0.0005≤x≤0.005，选定x的值，采用干燥的纯度大于99.99％的Al2O3、Li2CO3和MnO2作原料，并按照摩尔比Al2O3∶Li2CO3∶2MnO2＝1∶1∶x，称取原料，将原料均匀混合，压块，放入刚玉坩埚内，盖上坩埚盖，在马弗炉中经1000～1150℃预烧，形成烧结料；②晶体的生长：将所述的烧结料放入铱金坩埚内并置于提拉炉中，炉中抽真空，真空度优于0.1Pa，充入纯度>99.99％的氮气，升温至1750±50℃，待料全部熔化后，恒温2小时，生长晶体，籽晶的方向为[100]、[001]或者[302]，提拉速度为1mm/h～3mm/h，转速为20～30rpm。
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