[发明专利]像素结构

摘要

本发明公开了一种像素结构，包括形成在栅极电极层上的一栅极线和第一浮接金属电极；形成在半导体层上的第一半导体电极和第二半导体电极；以及形成在源极/漏极电极层上的一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该数据线上形成有一源极凸起部，该漏极电极上形成有一漏极凸起部；其中，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。本发明的像素结构可以使修复后的像素正常充放电且获得预定的目标值。

主权项

1.一种像素结构，包括：一栅极电极层，包括一栅极线以及与该栅极线电性隔绝的第一浮接金属电极；一栅极绝缘层，设置于所述栅极电极层上；一半导体层，设置于所述栅极绝缘层上，包括第一半导体电极和第二半导体电极；一源极/漏极电极层，设置于所述半导体层上，包括一源极电极、一漏极电极、数据线以及第二浮接金属电极，该源极电极和该数据线相连，该漏极电极上形成有一漏极凸起部，该数据线上形成有一源极凸起部，该第二浮接金属电极和所述源极电极、漏极电极及数据线电性隔绝；其中，该源极电极与漏极电极分别与该第一半导体电极部分重叠，该源极凸起部与漏极凸起部分别与该第二半导体电极部分重叠，该第一浮接金属电极与该第二浮接金属电极部分重叠。