[发明专利]一种化学机械抛光用磨料及其制备方法有效
| 申请号： | 200810201230.9 | 申请日： | 2008-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101372560A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | C09C1/68 | 分类号： | C09C1/68;C09C3/06;C09G1/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法，用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10％(质量分数)以下，作为生长的基体。用铝盐在80－90℃下加入水解，然后加入酸在90－100℃陈化，制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10％以下，通过强阳离子交换树脂，制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中，加入一定量碱，控制pH值在8－11之间，恒温加热并剧烈搅拌，陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中，硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围；提高化学机械抛光的应用范围；能够改善表面化学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化学 机械抛光 磨料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种化学机械抛光用磨料，其包括基体及包覆层，其特征在于：所述基体是SiO2胶体，所述包覆层是硅氧铝键连，所述SiO2胶体由粒径为5-200nm SiO2制成。
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