[发明专利]一种化学机械抛光用磨料及其制备方法有效
申请号: | 200810201230.9 | 申请日: | 2008-10-15 |
公开(公告)号: | CN101372560A | 公开(公告)日: | 2009-02-25 |
发明(设计)人: | 汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | C09C1/68 | 分类号: | C09C1/68;C09C3/06;C09G1/02 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200050*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100℃陈化,制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10%以下,通过强阳离子交换树脂,制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中,加入一定量碱,控制pH值在8-11之间,恒温加热并剧烈搅拌,陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中,硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围;提高化学机械抛光的应用范围;能够改善表面化学性质。 | ||
搜索关键词: | 一种 化学 机械抛光 磨料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种化学机械抛光用磨料,其包括基体及包覆层,其特征在于:所述基体是SiO2胶体,所述包覆层是硅氧铝键连,所述SiO2胶体由粒径为5-200nm SiO2制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810201230.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。