[发明专利]一种化学机械抛光用磨料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810201230.9 申请日: 2008-10-15
公开(公告)号: CN101372560A 公开(公告)日: 2009-02-25
发明(设计)人: 汪海波;刘卫丽;宋志棠;封松林 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C09C1/68 分类号: C09C1/68;C09C3/06;C09G1/02
代理公司: 上海光华专利事务所 代理人: 余明伟
地址: 200050*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种化学机械抛光用磨料及其制备方法,用于化学机械抛光领域。将纳米级的SiO2磨料稀释成浓度10%(质量分数)以下,作为生长的基体。用铝盐在80-90℃下加入水解,然后加入酸在90-100℃陈化,制得酸性AlOOH溶液。将水玻璃稀释到10%以下,通过强阳离子交换树脂,制得活性硅酸。最后按照粒子生长法将制得的AlOOH溶液和硅酸滴入到硅溶胶中,加入一定量碱,控制pH值在8-11之间,恒温加热并剧烈搅拌,陈化2小时。硅基上生长的铝硅复合物中,硅铝的原子比例可以按照AlOOH和活性硅酸的比例控制。制得的磨料能够扩展磨料存在的pH值范围;提高化学机械抛光的应用范围;能够改善表面化学性质。
搜索关键词: 一种 化学 机械抛光 磨料 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种化学机械抛光用磨料,其包括基体及包覆层,其特征在于:所述基体是SiO2胶体,所述包覆层是硅氧铝键连,所述SiO2胶体由粒径为5-200nm SiO2制成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810201230.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top