[发明专利]含锑材料作为电阻转换存储材料的应用无效
| 申请号： | 200810201407.5 | 申请日： | 2008-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101383398A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 张挺;宋志棠;顾怡峰;刘波;封松林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C16/02;G11C11/56 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。当温度达到或者超过某一特定温度时，该电阻转换存储材料的电阻率有剧烈的下降过程，通常高、低电阻率差异超过一个数量级。本发明电阻转换存储材料与目前的半导体生产线完全兼容，不会给生产线引入污染以及不确定的因素，有助于降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 作为 电阻 转换 存储 应用 | ||
【主权项】：
1、一种含锑材料作为电阻转换存储材料的应用，其特征在于，所述含锑材料包括锑及其他金属的混合物、或/和锑的氧化物、或/和锑的氮化物、或/和锑的氮氧化物。
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