[发明专利]光敏性干膜的光刻方法无效
| 申请号： | 200810201559.5 | 申请日： | 2008-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN101727022A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 李德君;佟大明;张尔飚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/26 | 分类号： | G03F7/26;G03F7/00;G03F7/038 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种光敏性干膜的光刻方法，属于半导体制造领域，用于对焊料凸点构图成形，其主要特征在于包括在显影后对光敏性干膜进行第二次碾压处理步骤，从而能够消除现有光刻技术的边缘卷起效应。本发明提供的光敏性干膜的光刻方法能使光刻的图形能准确的转移到焊料凸点，并能提高焊料凸点质量。 | ||
| 搜索关键词： | 光敏 性干膜 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种光敏性干膜的光刻方法，用于对焊料凸点构图成形，该方法包括步骤：(1)提供半导体结构，所述半导体结构上具有一个或者以上的开口，形成覆盖所述半导体结构以及开口表面的光敏性干膜；(2)第一次碾压所述光敏性干膜；(3)对光敏性干膜进行烘烤；(4)进行曝光显影，去除半导体结构开口表面上的光敏性干膜；(5)第二次碾压所述光敏性干膜。
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