[发明专利]非布司他新型晶体及其制备方法有效
| 申请号： | 200810201652.6 | 申请日： | 2008-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101386605A | 公开（公告）日： | 2009-03-18 |
| 发明（设计）人： | 邓斐;张金生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海药物研究所;江苏正大天晴药业股份有限公司 |
| 主分类号： | C07D277/56 | 分类号： | C07D277/56;A61P19/06 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱 梅;黄丽娟 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶体晶型的控制技术，更具体而言，涉及一种非布司他的新型晶体(定义为晶型K)及其制备方法。该晶型晶体的X射线粉末衍射图在反射角2θ在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2，12.74±0.2，17.18±0.2和26.12±0.2°处具有特征峰。其制备方法包括：非布司他在1，4-二氧六环中加热溶解后，或者非布司他在1，4-二氧六环与选自正己烷、石油醚和环己烷中的一种溶剂的混合溶剂中加热溶解后，冷却结晶，得到非布司他晶型K晶体。本发明的晶型K晶体在正常存储条件下具有很好的稳定性，且其制备过程中所用的溶剂安全性高，非布司他在1，4-二氧六环构成的溶剂系统中易生成结晶，所得结晶纯度高，更有利于产品开发。 | ||
| 搜索关键词： | 非布司 新型 晶体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、非布司它晶型K晶体，其特征是:在如下测试条件下:X射线管:Cu-Kα靶X射线波长:![]()
管压:40KV管电流:60mA扫描角度:2.5°～50° 扫描速度:4°/min该晶型晶体的X射线粉末衍射图在反射角2θ在为5.64±0.2，7.80±0.2，11.38±0.2，11.70±0.2，12.54±0.2，12.74±0.2，17.18±0.2和26.12±0.2°处具有特征峰。
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