[发明专利]光学临近修正的测试方法及光掩模版制造方法有效
| 申请号： | 200810201784.9 | 申请日： | 2008-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101726991A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王谨恒 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及光学临近修正的测试方法及光掩模版制造方法，其中，光学临近修正的测试方法包括步骤：形成曝光辅助线条；收集所述辅助线条能在光掩模版上成像的长宽比；将上述长宽比中最小的一个作为辅助线条在光掩模版上可以成像的最小长宽比。本发明可以获取辅助线条在光掩模版上可以成像的最小长宽比。因此在制造光掩模版时，可以保证辅助线条都能正常地被转移至光掩模版上。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 修正 测试 方法 模版 制造 | ||
【主权项】：
一种光学临近修正的测试方法，其特征在于，包括步骤：形成曝光辅助线条；获取能在光掩模版上成像的辅助线条的长宽比；将上述长宽比中最小的一个作为辅助线条在光掩模版上能够成像的最小长宽比。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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