[发明专利]用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法

摘要

本发明涉及一种能源技术领域的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法，以锡粉为原料、IV～VI族单体作为纳米线生长方向诱导剂，以贵金属作为催化剂，在800～1300℃范围内，常压下热蒸发，在硅基底上得到二氧化锡纳米线阵列。本发明首次提出使用IV～VI族单体作为生长方向诱导试剂，使纳米线以气液固(VLS)机制在表面能较高的(001)面优先呈阵列生长，从而得到规则、有序、较长的二氧化锡纳米线阵列。该纳米线阵列适用于高性能锂电池电极。

主权项

1、一种用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，将锡粉放入陶瓷舟中，陶瓷舟置入第二管式炉的中部，溅射有金催化剂的硅片放置在距陶瓷舟1～3cm处，将另一或多种IV～VI族的单体作为生长方向诱导试剂放入另一陶瓷舟，将这一陶瓷舟放入第一管式炉中部，两管式炉用乳胶管连接，持续通入惰性气体，尾部用去离子水封闭气体出口以确保反应系统与外部气体隔离；第二步，先将第一管式炉加热至800～1300℃，然后，将第二管式炉加热至50～300℃，第二管式炉在50～300℃保持一段时间，而第一管式炉继续保持在800～1300℃一段时间后，自然冷却取出硅片，得到二氧化锡纳米线阵列。