[发明专利]一种新的发光三极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200810201985.9 申请日: 2008-10-30
公开(公告)号: CN101393971A 公开(公告)日: 2009-03-25
发明(设计)人: 魏斌;王军;张建华;李博;汪敏 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种新的发光三极管及其制备方法。该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道,形成两个源和漏极,未改动的阴极作为栅极;该沟道的长度为5微米~30微米。本发明的三极管是一个具有FET特性的二极管,它克服现有的有机发光三极管中存在的光在边缘发射和在金属电极消光的缺点。此外与TFT驱动的发光电致二极管相比,本发明的三极管既具有电流变调的FET特性,同时也具有电光转换的OLED特性。
搜索关键词: 一种 发光 三极管 及其 制备 方法
【主权项】:
1. 一种新的发光三极管,以有机电致发光二极管为模板,其特征在于该三极管是采用光刻技术在有机电致发光二极管的阳极上制作出一个沟道,形成两个源(1)和漏极(2),未改动的阴极作为栅极(4);该沟道的长度(3)为5微米~30微米。
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