[发明专利]去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法无效
| 申请号： | 200810202117.2 | 申请日： | 2008-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN101727025A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/42 | 分类号： | G03F7/42;B08B3/02;B08B11/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，包括：在半导体衬底上依次形成待刻蚀层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层；灰化法去除光刻胶层；将带有各膜层的半导体衬底放入溶液喷射循环池内，用第一溶液喷射去除光刻胶残留，同时带有光刻胶残留的第一溶液从溶液喷射循环池内流出；通入第二溶液喷射去除刻蚀过程中残留的刻蚀反应物颗粒，同时带有刻蚀反应物颗粒的第二溶液从溶液喷射循环池内流出。本发明保证光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒能被有效去除，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 去除 光刻 残留 刻蚀 反应物 颗粒 方法 | ||
【主权项】：
一种去除光刻胶残留及刻蚀反应物颗粒的方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上依次形成待刻蚀层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀待刻蚀层；灰化法去除光刻胶层；将带有各膜层的半导体衬底放入溶液喷射循环池内，用第一溶液喷射去除光刻胶残留，同时带有光刻胶残留的第一溶液从溶液喷射循环池内流出；通入第二溶液喷射去除刻蚀过程中残留的刻蚀反应物颗粒，同时带有刻蚀反应物颗粒的第二溶液从溶液喷射循环池内流出。
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