[发明专利]能识别土霉素和恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法无效
| 申请号： | 200810202647.7 | 申请日： | 2008-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101397355A | 公开（公告）日： | 2009-04-01 |
| 发明（设计）人： | 张大兵;瞿国润;武爱波 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | C08F222/14 | 分类号： | C08F222/14;C08F220/06;C08F2/00;C08J9/26;B01J20/26;B01J20/30;C07C237/26;C07D215/56 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种生物化学工程技术领域的能识别土霉素和恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，具体为：将土霉素与恩诺沙星、金属离子、甲基丙烯酸和乙二醇二甲基丙烯酸酯按照摩尔比为0.2～1∶0.6～1∶1∶2～10∶20，混合后溶解到致孔剂中，加入引发剂偶氮二异丁氰；将以上混合液置入安培瓶中，充入氮气，在氮气保护下将安培瓶封口，水浴保温反应；将合成的聚合物搅拌分散后，得到粒径在0.1～1.5μm之间的颗粒，除去微细的颗粒；索氏萃取；将除去模板分子的聚合物干燥过夜，获得分子印迹聚合物。本发明制得的聚合物可应用于含水量很高的环境中或生物样品中土霉素和恩诺沙星残留检测及痕量被分析物的富集和基质的清除。 | ||
| 搜索关键词： | 识别 土霉素 恩诺沙星 分子 印迹 聚合物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种能识别土霉素和恩诺沙星的分子印迹聚合物的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：第一步，将模板分子土霉素与恩诺沙星、金属离子、功能单体甲基丙烯酸和交联剂乙二醇二甲基丙烯酸酯按照摩尔比为0.2～1∶0.6～1∶1∶2～10∶20，混合后溶解到致孔剂中，加入引发剂偶氮二异丁氰；第二步，将以上混合液置入安培瓶中，充入氮气，在氮气保护下将安培瓶封口，60～70℃水浴保温反应得到反应产物；第三步，将合成的聚合物搅拌分散后，得到粒径在0.1～1.5μm之间的颗粒，除去微细的颗粒；第四步，通过索氏萃取，进一步除去模板分子；第五步，将除去模板分子的聚合物干燥过夜，获得土霉素和恩诺沙星共同印迹的分子印迹聚合物。
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