[发明专利]判断晶圆表面重复缺陷的方法及装置有效
| 申请号： | 200810202769.6 | 申请日： | 2008-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN101738400A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 吴浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/956 | 分类号： | G01N21/956;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，包括如下步骤：(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；(b)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；(c)根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；(d)以子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列；(e)在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较，以判断重复缺陷。本发明还提供了一种判断晶圆表面重复缺陷的装置。本发明的优点在于，以每个晶粒中重复出现的子晶粒作为基本的测试单元对晶圆表面进行测试。因此本发明可以对晶粒表面重复单元所在的区域进行测试，以找到晶粒表面位于上述区域内的重复缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 判断 表面 重复 缺陷 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种判断晶圆表面重复缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)获得待测晶圆表面若干晶粒的表面形貌数据，以及晶粒形貌的设计数据；(b)根据待测晶圆的晶粒形貌的设计数据，确定子晶粒的划分规则；(c)根据子晶粒划分规则，利用晶粒的表面形貌数据将每个晶粒划分成若干个子晶粒；(d)以子晶粒为基本的检测单元，组成至少一个检测序列；(e)在同一检测序列中，选择每一个子晶粒与至少两个其它子晶粒进行比较，所述其它子晶粒至少包括一个与所选子晶粒属于同一个晶粒的子晶粒，以判断重复缺陷。
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