[发明专利]晶圆及制作方法、系统级封装结构及封装方法有效
| 申请号： | 200810202838.3 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101740421A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 黄河;高大为;蒲贤勇;陈轶群;刘伟;谢红梅;杨广立;钟旻 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/482;H01L25/00;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶圆及制作方法、系统级封装结构及封装方法，其中晶圆的制作方法，包括：提供晶圆，所述晶圆的第一表面上形成有焊盘及露出焊盘的第一氧化硅层，焊盘上形成有金属层，晶圆内包含有与焊盘电连接的金属连线层；减薄晶圆的第二表面，所述第一表面与第二表面为相对面；在晶圆的第二表面上形成第二氧化硅层，在第二氧化硅层及晶圆中形成露出金属连线层的通孔；在通孔内填充满导电层。本发明还提供了系统级封装结构及封装方法。本发明减小了封装面积，降低了用料成本。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 系统 封装 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆的制作方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆的第一表面上形成有焊盘及露出焊盘的第一氧化硅层，焊盘上形成有金属层，晶圆内包含有与焊盘电连接的金属连线层；减薄晶圆的第二表面，所述第一表面与第二表面为相对面；在晶圆的第二表面上形成第二氧化硅层，在第二氧化硅层及晶圆中形成露出金属连线层的通孔；在通孔内填充满导电层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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