[发明专利]MOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200810202960.0 | 申请日： | 2008-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN101740513A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS晶体管及其制作方法，其中MOS晶体管的制作方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内的有源区包括MOS晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子，所述引入碳离子步骤在引入第一离子之前或者之后、或者在引入第二离子之前或者之后进行。相应地，本发明还提供采用上述制作方法制作的MOS晶体管。本发明通过在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子，阻止后续在MOS晶体管的沟道区域内注入的离子在后续的氧化形成栅介质层工艺中扩散，从而达到抑制瞬态增强扩散效应目的。 | ||
| 搜索关键词： | mos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MOS晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有隔离结构，所述隔离结构将半导体衬底分为待形成MOS晶体管的不同有源区，所述有源区包括MOS晶体管的沟道区域；在半导体衬底的有源区内引入第一离子，形成隔离阱；在半导体衬底的有源区内引入第二离子，以调整待形成的MOS晶体管的阈值电压；其特征在于，还包括：在MOS晶体管的沟道区域内引入碳离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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