[发明专利]玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法

摘要

本发明涉及光伏电池制造方法，公开了一种玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法；包括：一、在玻璃衬底[10]的两面沉积背电极[11]和[12]，对背电极激光刻划；二、在两面的背电极上沉积吸收层[13]和[14]；其中，迎光面吸收层[13]为宽带隙吸收层；背光面吸收层[14]为窄带隙吸收层；三、沉积缓冲层[15]和[16]；四、机械刻划；五、沉积透明电极层[17]和[18]；六、透明电极机械刻划；七、封装。本发明有效地提高了铜铟镓硒吸收层对光能的吸收，取得了结构简单、光电转换效率高、无污染和工艺简便等有益效果。

主权项

一种玻璃衬底双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤一、沉积背电极；在玻璃衬底[10]的两面上，用两个SnO2:F靶同时溅射沉积氧化锡类透明导电SnO2:F背电极[11]和[12]，厚度为0.7μm～1.0μm；再分别对背电极[11]和[12]进行激光刻划；步骤二、沉积吸收层；用共蒸发法，即用Cu、In、Ga、Se进行反应蒸发，分别在背电极[11]和[12]上沉积铜铟镓硒(CuIn1-xGaxSe2)吸收层[13]和[14]，厚度为1.0μm～1.5μm；蒸发时，衬底温度控制在400℃～510℃；其中：迎光面吸收层[13]中各元素的原子比为Cu/(In+Ga)：0.85～0.95、x＞0.5，为宽带隙吸收层；背光面吸收层[14]中各元素的原子比为Cu/(In+Ga)：0.85～0.95、x＜0.35，为窄带隙吸收层；步骤三、沉积缓冲层；用化学水浴法，同时在吸收层[13]和[14]上沉积Zn(S，O，OH)缓冲层[15]和[16]，厚度为50nm～100nm，水浴温度控制在80℃～90℃；步骤四、机械刻划；分别对吸收层[13]、缓冲层[15]和吸收层[14]、缓冲层[16]进行机械刻划；步骤五、沉积透明电极层；在缓冲层[15]和[16]上，用两个SnO2:In靶同时溅射沉积氧化锡类透明导电SnO2:In透明电极[17]和[18]，厚度为300nm～600nm；步骤六、透明电极机械刻划；分别对吸收层[13]、缓冲层[15]、透明电极[17]和吸收层[14]、缓冲层[16]、透明电极[18]进行机械刻划；步骤七、封装；在玻璃衬底[20]上制作完成双面铜铟镓硒薄膜太阳电池组件[21]后，在电池组件的正反背电极和透明电极上分别焊接四根汇流条[22]，在每根汇流条上分别焊接一根引出线[23]；把薄膜太阳电池放在滚压平台前，与覆盖膜[24]、粘接层[25]和背面覆盖膜[26]进行层压封装，最后，把边框[27]固定在组件上。