[发明专利]纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法无效
| 申请号： | 200810204057.8 | 申请日： | 2008-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN101428810A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 张迎晨;吴红艳;邱夷平 | 申请（专利权）人： | 东华大学;中原工学院 |
| 主分类号： | C01B33/44 | 分类号： | C01B33/44 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 | 代理人： | 黄志达;谢文凯 |
| 地址： | 201620上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，包括：将纳米蒙脱土置于等离子体处理设备的专用传输装置上，在大气压，开放环境下，直接将等离子体喷射到纳米蒙脱土表面，使纳米蒙脱土在等离子体氛围中运动，处理功率为10W-5000W，时间为0.01s-6000s，产生纳米蒙脱土表面改性。本发明方法在大气压和常温下可一步直接改善纳米蒙脱土的表面性质、结构和形态，工艺可控性强，改换工艺简单、干法加工工艺对环境的污染小；发明所得纳米蒙脱土颗粒表面产生同性相斥的效果，达到减少纳米颗粒团聚的可能性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 蒙脱土 表面 大气压 常温 等离子体 改性 处理 方法 | ||
【主权项】：
1. 纳米蒙脱土表面大气压、常温等离子体改性处理方法，包括：将纳米蒙脱土置于等离子体处理设备的专用传输装置上，在大气压，开放环境下，直接将等离子体喷射到纳米蒙脱土表面，使纳米蒙脱土在等离子体氛围中运动，处理功率为10W-5000W，时间为0.01s-6000s，产生纳米蒙脱土表面改性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东华大学;中原工学院，未经东华大学;中原工学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810204057.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
