[发明专利]集成低压低电容TVS器件及其制作方法

摘要

本发明一种集成低压低电容TVS器件及其制造方法，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，二极管通过N+隔离墙和P型埋层与TVS管悬浮隔离，TVS管自上而下依次由N+发射区、P+基区、P-基区、N+埋层和N型衬底构成；二极管自上而下依次由P+基区、P-外延层、N+埋层构成；在N型衬底上设置P型埋层作为N+隔离墙与衬底的隔离层，N+隔离墙与二极管N+埋层相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层与TVS管N+发射区电连接，二极管的P+基区上设金属层。优点是：采用新颖的悬浮隔离，实现低电容二极管和TVS的隔离电隔离，从而实现两种器件的硅工艺集成，集成低压低电容TVS器件产品的保护电压为2.8～5V，电容＜5pF，应用相当广泛。

主权项

1、一种集成低压低电容TVS器件，由低电容二极管和低压TVS管串联构成，其特征在于，所述的二极管通过N+隔离墙(23-1)和P型埋层(102)与TVS管悬浮隔离，其中：所述的TVS管自上而下依次由N+发射区(30)、P+基区(29)、P-基区(32)、N+埋层(25)和N型衬底(20)构成；所述的二极管自上而下依次由P+基区(26)、P-外延(24)、N+埋层(23)构成；在N型衬底(20)上设置P型埋层(102)作为N+隔离墙(23-1)与衬底(20)的隔离层，N+隔离墙(23-1)与二极管N+埋层(23)相连构成二极管N+隔离区，该N+隔离区通过一跨接金属层(28)与TVS管N+发射区(30)电连接，二极管的P+基区(26)上设金属层(27)，构成单向低压低电容TVS器件。