[发明专利]双向低压穿通瞬态电压抑制二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 200810204177.8 | 申请日： | 2008-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101527324A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | 苏海伟;张关保;李星;吴兴农 | 申请（专利权）人： | 上海长园维安微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 | 代理人： | 董 梅 |
| 地址： | 201202上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种双向低压穿通瞬态电压抑制二极管，所述的二极管自下而上由五个区域构成硅片，硅片正面和背面均形成有金属电极，五个区域包括：第一区域为n型掺杂的n+衬底；第二区域为p型掺杂的p+埋层；第三区域为p型掺杂的p-外延层；第四区域为p型掺杂的p+扩散区；第五区域为n型掺杂的n+扩散区；其中，所述的第二区域横向覆盖半个第一区域；第三区域的一半在第一区域上，另一半在第二区域上；第四区域横向覆盖半个第三区域，且与第二区域的位置相对；第五区域的一半在第三区域上，另一半在第四区域上。所述二极管具有以下优点：低穿通击穿电压、低泄露电流、低电容、大电流钳位特性优越、抗表面击穿及正反向电特性一致。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 低压 瞬态 电压 抑制 二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1、一种双向低压穿通瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述的二极管自下而上由五个区域构成硅片，硅片正面和背面均形成有金属电极，五个区域包括：第一区域为n型掺杂的n+衬底；第二区域为p型掺杂的p+埋层；第三区域为p型掺杂的p-外延层；第四区域为p型掺杂的p+扩散区；第五区域为n型掺杂的n+扩散区；其中，所述的第二区域横向覆盖半个第一区域；第三区域的一半在第一区域上，另一半在第二区域上；第四区域横向覆盖半个第三区域，且与第二区域的位置相对；第五区域的一半在第三区域上，另一半在第四区域上。
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