[发明专利]一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法无效
| 申请号： | 200810204186.7 | 申请日： | 2008-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN101752260A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 楼均辉;肖田;张羿 | 申请（专利权）人： | 上海广电电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/363 | 分类号： | H01L21/363;H01L21/336;C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人： | 吴宝根 |
| 地址： | 200060*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，属于有机电致发光显示器的制造技术领域。本发明包括一个将制作有源层所需要的氧化物粉末按照比例混合均匀的步骤，然后将混合均匀后的粉末加热；还包括一个将氧化物粉末用等离子喷涂法喷涂到金属背板上制成喷涂靶材的步骤；还包括一个用喷涂靶材在真空室中磁控溅射，沉积制作氧化物半导体层薄膜的步骤。将本发明制作的半导体层薄膜作为有源层应用到主动式驱动的有机电致发光显示器中，大幅度降低了溅射沉积大面积氧化物半导层薄膜所用大尺寸靶材的制作成本，避免了陶瓷靶材制作烧结过程中的开裂，降低了靶材开裂的概率，使靶材成分更容易调整，降低了显示器研发和生产的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 氧化物 半导体 有源 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的氧化物半导体有源层的制作方法，其特征在于：包括一个将制作氧化物半导体有源层所需要的氧化物粉末按照所需要的比例混合均匀的步骤，然后将混合均匀后的粉末加热，加热温度在800℃～1500℃之间；还包括一个将混合均匀后的氧化物粉末用等离子喷涂法喷涂到金属背板上制成喷涂靶材的步骤；还包括一个用喷涂靶材在真空室中磁控溅射、沉积制作氧化物半导体层薄膜的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
