[发明专利]一种薄型硅单晶抛光片加工方法有效
| 申请号： | 200810204445.6 | 申请日： | 2008-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101431021A | 公开（公告）日： | 2009-05-13 |
| 发明（设计）人： | 栾兴伟;叶祖超 | 申请（专利权）人： | 上海合晶硅材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 | 代理人： | 余明伟;冯 珺 |
| 地址： | 201617*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄型硅单晶抛光片的加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开槽双面研磨机，其上使用内圆镶软塑胶环的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺，酸腐蚀去除量在10~60微米；步骤四，采用纳米研磨工艺，纳米研磨去除量在1~25微米；步骤五，采用有蜡抛光工艺，有蜡抛光去除量在5~30微米。本发明通过采用一种新的薄型硅单晶抛光片加工新的技术路线和工艺流程，有效提高薄型硅单晶抛光片TTV、WARP、TIR、STIR等水平和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄型硅单晶 抛光 加工 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄型硅单晶抛光片加工方法，其包括以下步骤：步骤一，对硅单晶采用线切割切片；步骤二，采用开槽双面研磨机，其上使用内圆镶软塑胶环的不锈钢行星片，对切片后的硅单晶进行双面研磨；步骤三，采用酸腐蚀减薄工艺，酸腐蚀去除量在10~60微米；步骤四，采用纳米研磨工艺，纳米研磨去除量在1~25微米；步骤五，采用有蜡抛光工艺，有蜡抛光去除量在5~30微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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