[发明专利]太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 200810204622.0 | 申请日： | 2008-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101752455A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供太阳能电池的制造方法，包括步骤：在单晶衬底上沉积多晶硅层；从多晶硅层一侧向单晶衬底上注入氢离子，在所述单晶衬底内形成空洞；通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；剥离所述单晶衬底；在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极结构。与现有技术相比，本发明将形成太阳能电池PN结的多晶硅层生长在单晶衬底上，由于晶格常数匹配更佳，因而生长出的多晶硅层中晶粒尺寸较大，可以提高太阳能电池的性能。并且，单晶衬底可以剥离，因而可以降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：在单晶衬底上沉积多晶硅层；从多晶硅层一侧向单晶衬底上进行离子注入，在所述单晶衬底内形成空洞；通过离子注入在所述多晶硅层内形成相互接触的P型多晶硅层和N型多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述单晶衬底的一侧上形成第一电极；对所述单晶衬底和多晶硅层进行热退火；剥离所述单晶衬底；在剥离了单晶衬底的多晶硅层远离所述第一电极的一侧上形成第二电极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
