[发明专利]形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法有效
| 申请号： | 200810204833.4 | 申请日： | 2008-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101770964A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 倪春;阮玮玮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/822 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法，包括如下步骤：提供表面具有多个相同的晶体管的半导体衬底，所述多个相同的晶体管被金属与介电层的叠层所覆盖；于所述金属与介电层的叠层中形成多个电荷收集装置；于金属与介电层的叠层表面形成钝化层；于钝化层中形成钝化层窗口；测试所述半导体衬底表面的晶体管的电学特性；比较晶体管之间电学特性测试结果的差别，以评价形成钝化层窗口工艺中引入电荷对晶体管电学特性的影响。本发明的优点在于，通过制作电荷收集装置，并在部分的电荷收集装置的表面形成钝化层窗口，以测试形成钝化层窗口工艺中引入的电荷对晶体管电学性质的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 钝化 窗口 工艺 引入 电荷 测试 方法 | ||
【主权项】：
一种形成钝化层窗口工艺中引入电荷的测试方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面布置有多个相同的晶体管，所述多个相同的晶体管被金属与介电层的叠层所覆盖；于所述金属与介电层的叠层中形成多个电荷收集装置，所述电荷收集装置由导电材料构成，每一个所述电荷收集装置电学连接至不同的晶体管的栅极；于金属与介电层的叠层表面形成钝化层，所述钝化层由绝缘材料构成，且覆盖所述多个电荷收集装置；于钝化层中形成钝化层窗口，所述钝化层窗口形成于电荷收集装置的上方，以暴露出部分所述电荷收集装置，此步骤中保留至少一个电荷收集装置的表面无钝化层窗口；测试所述半导体衬底表面的晶体管的电学特性；比较晶体管之间电学特性测试结果的差别，以评价形成钝化层窗口工艺中引入电荷对晶体管电学特性的影响。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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