[发明专利]CMOS图像传感器及其成像方法无效
| 申请号： | 200810205380.7 | 申请日： | 2008-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101771800A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 罗文哲;欧阳雄;杨建平;朱虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H04N3/15 | 分类号： | H04N3/15;H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种CMOS图像传感器及其成像方法。所述CMOS图像传感器包括像素单元，所述像素单元中包括用于产生光电流的光敏二极管，所述光敏二极管中PN结的结深对应于第一原色光在所述PN结中的吸收深度；在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。所述CMOS图像传感器节约了工艺成本，提高了工艺良率，且对于各个波长的光都具有更好的吸收效率。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 成像 方法 | ||
【主权项】：
一种CMOS图像传感器，包括像素单元，所述像素单元包括用于产生光电流的光敏二极管，其特征在于，所述光敏二极管中PN结的结深对应于三原色光中任意一种在所述PN结中的吸收深度；在所述光敏二极管的正极处还连接有可变电压源，所述可变电压源提供用于调节所述光敏二极管中PN结的耗尽区宽度的反偏电压。
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