[发明专利]通孔结构形成方法、半导体装置、金属互连结构和掩模板

摘要

本发明提供一种半导体装置和金属互连结构，以及一种通孔结构的形成方法和掩模板。所述半导体装置包括：半导体器件区和所述半导体器件区之外的虚拟图案区；所述虚拟图案区包括：虚拟有源区，所述虚拟有源区上的虚拟栅极，所述介质层也覆盖于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上，所述介质层中的分别位于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上的赝通孔；其中，所述有源区和虚拟有源区在同一工艺中形成，所述栅极和虚拟栅极也在同一工艺中形成，所述赝通孔与所述通孔通过同一刻蚀工艺形成于所述介质层中。所述的半导体装置能够在形成通孔结构的过程中提高等离子体光谱的信号强度和分辨率，以便进行刻蚀工艺的终点检测。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体器件区和所述半导体器件区之外的虚拟图案区；其中，所述半导体器件区包括：有源区，所述有源区上的栅极，覆盖于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上的介质层，在所述介质层中的分别位于所述有源区和栅极之上的通孔；所述虚拟图案区包括：虚拟有源区，所述虚拟有源区上的虚拟栅极，所述介质层也覆盖于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上，所述介质层中的分别位于所述虚拟有源区和虚拟栅极之上的赝通孔；其中，所述有源区和虚拟有源区在同一工艺中形成，所述栅极和虚拟栅极也在同一工艺中形成，所述赝通孔与所述通孔通过同一刻蚀工艺形成于所述介质层中。