[发明专利]透明导电膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810207263.4 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101752028A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 张德恒;徐照方 | 申请（专利权）人： | 上海摩根碳制品有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/16 | 分类号： | H01B5/16;H01B13/00;C23C14/14;C23C16/22;G02F1/1333;B32B9/04;B32B15/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种透明导电膜，包括一金属银层，所述金属银层两侧分别复合有一类金刚石薄膜层，上述层结构的排列顺序为内层类金刚石薄膜/银/外层类金刚石膜，所述内层类金刚石膜层的厚度为10～60nm，所述银层厚度为12～22nm，所述外层类金刚石膜层厚度为20～50nm，并且上述层厚度不能同时取两端的值。本发明具有透射率高、电阻率低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
透明导电膜，其特征为：包括一金属银层，所述金属银层两侧分别复合有一类金刚石薄膜层，上述层结构的排列顺序为内层类金刚石薄膜/银/外层类金刚石膜，所述内层类金刚石膜层的厚度为10～60nm，所述银层厚度为12～22nm，所述外层类金刚石膜层厚度为20～50nm，并且上述层厚度不能同时取两端的值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海摩根碳制品有限公司，未经上海摩根碳制品有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810207263.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：有效证件识读仪
- 下一篇：一种风力发电电网相位的仿真方法
