[发明专利]薄膜晶体管阵列基板的制造方法无效
| 申请号： | 200810207269.1 | 申请日： | 2008-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101442029A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 高孝裕 | 申请（专利权）人： | 上海广电光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L21/28;H01L21/768;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 上海申汇专利代理有限公司 | 代理人： | 白璧华 |
| 地址： | 200233上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在绝缘基板上制作栅极导电层、半导体层、数据导电层和透明电极层，在所述栅极导电层上形成栅极、扫描线和储存电容电极，其中，在制作栅极导电层之前，首先在所述基板上形成沟渠，然后沉积栅极导电层并在所述沟渠中形成栅极，扫描线和储存电容电极。本发明提供的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，解决了栅极导电层与绝缘基板附着力的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在绝缘基板上制作栅极导电层、半导体层、数据导电层和透明电极层，在所述栅极导电层上形成栅极、扫描线和储存电容电极，其特征在于，在制作栅极导电层之前，首先在所述基板上形成沟渠，然后沉积栅极导电层并在所述沟渠中形成栅极，扫描线和储存电容电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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