[发明专利]半导体芯片结构无效

专利信息
申请号: 200810207338.9 申请日: 2008-12-19
公开(公告)号: CN101752320A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 杨秋忠;林苏宏 申请(专利权)人: 杨秋忠
主分类号: H01L23/00 分类号: H01L23/00;H01L23/485;H01L23/36;H01L29/41
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 吴林松
地址: 中国台湾台中市南*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及一种半导体芯片结构,该芯片将半导体基板藉由反复进行磊晶成长、黄光微影、蚀刻、杂质扩散、重复选择性的掺杂物扩散及蒸镀等制程,制成所需的半导体芯片,并于芯片表面形成电极及配线,且于绝缘层、电极及芯片侧边壁面披覆有一防护层,且相对于绝缘层及电极的防护层顶面设有复数大面积的导电垫,各导电垫的面积大于电极,并分别透过一贯穿防护层的连接部与对应的电极形成电气连接,进而形成具有防护层及大面积导电垫的半导体芯片结构。本发明使主动式半导体组件的后段制程可利用芯片的大面积导电垫直接连结、导通、固定于电路基板的印刷电路上,因而能减少常用的焊线及焊球(凸块)封装制程,提高制程优良率及降低制作成本。
搜索关键词: 半导体 芯片 结构
【主权项】:
一种半导体芯片结构,其特征在于:该半导体芯片结构在芯片的绝缘层、电极顶面披覆有顶面防护层,顶面防护层还具有覆设于芯片侧边壁面的侧面防护层,且绝缘层及电极的顶面防护层顶面形成有复数大面积的导电垫,各导电垫的面积大于电极,并分别通过贯穿防护层的连接部与对应的电极形成电气连接,进而形成具有防护层及大面积导电垫的半导体芯片结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杨秋忠,未经杨秋忠许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200810207338.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top