[发明专利]一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200810207365.6 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101445395A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 何亮 | 申请（专利权）人： | 上海工程技术大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 | 代理人： | 何葆芳 |
| 地址： | 200336*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种射频溅射法制备BaCeO3体系高温质子导体薄膜的方法，属于薄膜制备及应用技术领域。本发明采用磁控溅射法制备BaCe1-XYXO3-α高温质子导体薄膜。即按照按摩尔比1∶1-X∶X(X＝0.02-0.3)混合BaCO3、CeO2、Y2O3等原料物。采用固相反应法制备BaCe1-XYXO3-α粉体。将制备粉体烧结制得符合溅射仪要求的陶瓷靶材。采用射频溅射法，用多孔材料为基体，溅射制备得到BaCe1-XYXO3-α高温质子导体薄膜。本发明的创新点在于采用射频溅射法制备BaCe1-XYXO3-α高温质子导体薄膜，该方法能直接溅射制备得到BaCe1-XYXO3-α高温质子导体薄膜，能够制得具有较薄厚度的薄膜，从而能提高其氢的透量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 baceo sub 体系 高温 质子 导体 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种BaCeO3体系高温质子导体薄膜的制备方法，其特征在于：它采用射频溅射法将BaCe1-XYXO3-α粉体溅射到多孔陶瓷基体上获得厚度在1μm-100μm厚度的高温质子导体导电薄膜。
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