[发明专利]半导体硅片的清洗方法无效
| 申请号： | 200810207433.9 | 申请日： | 2008-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101447416A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 张晨骋 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;B08B3/10 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所 | 代理人： | 郑 玮 |
| 地址： | 201203上海市张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体硅片的清洗方法，在清洗之前对硅片背面加热一定时间后，开始对硅片正面喷洒清洗液进行清洗，且在清洗过程中硅片正面同与之接触的清洗液之间始终具有一温差。本发明在不影响其他清洗方式(如超声波等)起作用的前提下，另辟蹊径，使得硅片表面同清洗液之间存在一定温差，以在硅片表面的清洗液中产生对流，形成一个自硅片表面向上的液流，该液流推动硅片表面微小颗粒通过边界层进入液流层中，从而有效提高对硅片表面微小颗粒的去除效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 硅片 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体硅片的清洗方法，其特征在于：在清洗之前对硅片背面加热一定时间后，开始对硅片正面喷洒清洗液进行清洗，且在清洗过程中硅片正面同与之接触的清洗液之间始终具有一温差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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