[发明专利]一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置无效
申请号: | 200810207874.9 | 申请日: | 2008-12-26 |
公开(公告)号: | CN101481793A | 公开(公告)日: | 2009-07-15 |
发明(设计)人: | 王晓飞;王志毅;丰平;王鸿;夏芃;范振华;范继良 | 申请(专利权)人: | 上海拓引数码技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/24 | 分类号: | C23C16/24;C23C16/513 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 邓 琪 |
地址: | 200234上海市徐汇区*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置,尤其涉及用该薄膜制备设备在基底上快速沉积非晶硅和微晶硅薄膜等,用于太阳电池和平板显示等领域。本装置包括一微波源,一渐变波导管,以及一矩形波导管,所述的渐变波导管连接所述的微波源和所述的矩形波导管,一上端由石英玻璃板密封的一主腔体位于矩形波导管下方,在与矩形波导管和石英玻璃板之间带有一微波馈入窗口与它们相互贴合,至少一布气管通入主腔体内,主腔体内具有一用来装载基底的载物装置,所述矩形波导管与所述基底对应放置,以及一连接主腔体的真空系统。通过采用波导管并排分布的方式产生大面积内均匀的等离子体,本发明的装置能实现在大面积膜沉积的均匀性。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 微波 等离子体 化学 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1. 一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置,包括一微波源,一渐变波导管,以及至少一矩形波导管,所述的微波源、渐变波导管、矩形波导管依次连接,一上端由石英玻璃板密封的一主腔体位于矩形波导管下方,矩形波导管具有一带有微波馈入孔的微波馈入窗口,所述微波馈入窗口与石英玻璃板贴合,至少一布气管通入主腔体内,主腔体内具有一用来装载基底的载物装置,所述矩形波导管与所述基底对应放置,以及一连接主腔体的真空系统。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的