[发明专利]快闪存储器的形成方法无效
| 申请号： | 200810208186.4 | 申请日： | 2008-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101770954A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉;蔡孟峰;常建光 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李丽 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种快闪存储器的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。本发明改善了多晶硅层从层间绝缘层上剥落的情况。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种快闪存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浮栅以及位于浮栅上的层间绝缘层；在半导体衬底上形成多晶硅层，所述多晶硅层覆盖浮栅；在多晶硅层上形成研磨保护层；平坦化研磨保护层和多晶硅层；刻蚀多晶硅层至露出半导体衬底，在浮栅位置的层间绝缘层上形成控制栅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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