[发明专利]锗三维光子晶体的制备方法

摘要

锗三维光子晶体的制备方法，它涉及一种锗光子晶体的制备方法。它解决了现有制备锗三维光子晶体的方法中锗无法完全填充模板的问题。本发明方法如下：倾斜沉积法在制备聚苯乙烯小球模板；配制电解液；三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗；化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体。本发明方法制得的锗光子晶体填充率达100％，且具有完全光子带隙。本发明方法工艺简单，操作方便。

主权项

1、锗三维光子晶体的制备方法，其特征在于锗三维光子晶体的制备方法按以下步骤实现：一、倾斜沉积法制备聚苯乙烯小球模板：将经清洗的ITO玻璃基片倾斜浸入体积浓度为0.2％～0.3％的聚苯乙烯小球水溶液中，在65℃下静置72小时，即在ITO玻璃基片表面生长出聚苯乙烯小球模板，然后降至室温，取出ITO玻璃基片，密闭干燥保存；二、配制电解液：将水含量低于2ppm的1已基-3甲基咪唑三全氟烃基三氟磷酸盐离子液体与纯度为99.99999％(质量)的GeCl4混合，配成锗离子的摩尔浓度为0.1～1mol/L的电解液，然后密封放置一天；三、三电极电沉积法在聚苯乙烯小球模板原位生长锗：采用聚苯乙烯小球模板作为工作电极、纯度为99.999％(质量)的铂丝作为对电极、纯度为99.999％(质量)的银丝作为参比电极，采用密封放置的电解液，先进行CV曲线的扫描，获得还原电位，在CV曲线扫描测得还原电位下沉积四个小时；四、化学刻蚀法去除聚苯乙烯小球模板：用有机溶剂溶解掉聚苯乙烯小球模板，即得锗三维光子晶体。