[发明专利]光电转换组件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810210429.8 | 申请日： | 2008-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN101651156A | 公开（公告）日： | 2010-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈永芳;许国强;戴煜暐;吴孟修 | 申请（专利权）人： | 新日光能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种光电转换组件，包括半导体基板以及位于半导体基板的表面上的多个微结构。半导体基板的表面具有至少一个凹结构和/或至少一个凸结构。其中，微结构为将多个半导体纳米粒子形成在半导体基板的表面以作为屏蔽并由蚀刻半导体基板的表面而形成。一种光电转换组件的制造方法也一并公开。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 转换 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种光电转换组件，包括：半导体基板，该半导体基板具有表面，该表面具有至少一个凹结构和/或至少一个凸结构；以及多个微结构，该多个微结构位于所述表面上；其中，所述微结构为将多个半导体纳米粒子形成于所述表面以作为屏蔽并由蚀刻该表面而形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
