[发明专利]耐高压的驱动电路无效
申请号: | 200810210581.6 | 申请日: | 2008-09-02 |
公开(公告)号: | CN101547003A | 公开(公告)日: | 2009-09-30 |
发明(设计)人: | 黄建程;林松杰 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03K19/20 | 分类号: | H03K19/20;H03K19/0948;H03K19/003 |
代理公司: | 北京市德恒律师事务所 | 代理人: | 梁 永;马佑平 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种耐高压反相器电路,包括PMOS晶体管,其源极和漏极分别与第一高压电源VDDQ和输出端相连,其栅极由第一信号控制,该第一信号具有在所述VDDQ和低压电源(VSS)之间的电压摆幅;和NMOS晶体管,其源极和漏极分别与VSS和所述输出端相连,其栅极由第二信号控制,该第二信号具有在第二高压电源(VDD)和所述VSS之间的电压摆幅;其中,所述VDD低于所述VDDQ,所述第一信号在所述VDDQ和所述VSS之间的电压摆动与所述第二信号在所述VDD和所述VSS之间的电压摆动始终在相同的方向。 | ||
搜索关键词: | 高压 驱动 电路 | ||
【主权项】:
1、一种耐高压反相器电路,包括:PMOS晶体管,其源极和漏极分别与第一高压电源(VDDQ)和输出端相连,其栅极由第一信号控制,该第一信号具有在所述VDDQ和低压电源(VSS)之间的电压摆幅;和NMOS晶体管,其源极和漏极分别与所述VSS和所述输出端相连,其栅极由第二信号控制,该第二信号具有在第二高压电源(VDD)和所述VSS之间的电压摆幅,其中,所述VDD低于所述VDDQ,所述第一信号在所述VDDQ和所述VSS之间的电压摆动与所述第二信号在所述VDD和所述VSS之间的电压摆动始终在相同的方向。
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