[发明专利]中心加热相变化存储器结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200810210901.8 | 申请日： | 2008-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN101504967A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种中心加热相变化存储器结构及其制造方法。一种存储装置，包含一底电极，及在该底电极之上包含一第一相变化材料的一第一相变化层。在该第一相变化层之上包含一加热材料的一电阻加热器。在该电阻加热层之上包含一第二相变化材料的一第二相变化层，以及在该第二相变化层之上的一顶电极。该加热材料具有一电阻率大于该第一及第二相变化材料的该最高电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 中心 加热 相变 存储器 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种存储装置，其特征在于，包含：一介电层，具有一顶表面；一介层孔，自该介电层的该顶表面延伸，并具有一底部位和一顶部位；一底电极，位于该介层孔的该底部位之内；.一第一相变化层，其包含一第一相变化材料于该介层孔的该顶部位之内且与该底电极连接，该第一相变化材料具有至少两种固相状态；一电阻加热层，其包含一加热材料在该第一相变化层之上；一第二相变化层，其包含一第二相变化材料在该电阻加热层之上，该第二相变化材料具有至少两种固相状态；以及一顶电极，于该第二相变化层之上；其中该加热材料具有一电阻率，该电阻率是大于该第一及第二相变化材料的最高电阻率。
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