[发明专利]用于制造半导体元器件的方法以及因之的结构有效
| 申请号： | 200810211049.6 | 申请日： | 2008-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN101419920A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | S·克里南;王松伟;J·库玛尔 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/50;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造半导体元器件的方法，所述半导体元器件包括引线框架，所述引线框架具有非金属基础结构和中间的引线框架结构。除了别的材料以外，所述非金属基础结构可以是纸、纤维素或塑料。一层导电材料形成在非金属基础结构上。从该层导电材料形成电路元件连接结构和多个引线框架引线。电路元件被耦合到电路元件连接结构，并且被电耦合到多个引线框架引线。电路元件被封装，并且至少非金属基础结构被去除。可选择地，多个引线框架引线可形成在所述导电层之上，并且电路元件被置于该导电层之上。所述电路元件被电耦合到多个引线框架引线上并被封装。非金属基础结构和导电层被去除。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 元器件 方法 以及 因之 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种制造半导体元器件的方法，包括：提供具有非金属基础结构和第一主表面及第二主表面的支撑结构；在所述第一主表面上形成电路元件连接结构；以及在所述第一主表面上形成至少一个引线框架引线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
