[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 200810211186.X | 申请日： | 2008-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN101378077A | 公开（公告）日： | 2009-03-04 |
| 发明（设计）人： | 松木武雄;鸟居和功 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件，该半导体器件能够抑制在栅极电极和高－k栅极介电膜之间发生的反应，并且具有适合于高集成和高频操作的元件结构。该半导体器件具有绝缘栅极场效应晶体管，其中该绝缘栅极场效应晶体管具有：包括高－k介电膜的栅极绝缘膜；和具有叠层结构的栅极电极，该叠层结构包括第一导电层和具有比所述第一导电层的电阻率低的电阻率的第二导电层，并且第一导电层提供在高－k介电膜上并与其接触，且包括具有5g/cm3以上的密度的氮化钛。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种具有绝缘栅极场效应晶体管的半导体器件，其中所述绝缘栅极场效应晶体管具有：包括高-k介电膜的栅极绝缘膜；以及具有叠层结构的栅极电极，该叠层结构包括第一导电层和具有比所述第一导电层的电阻率低的电阻率的第二导电层，并且所述第一导电层提供在所述高-k介电膜上并与其接触，且包括具有5g/cm3或以上的密度的氮化钛。
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