[发明专利]半导体装置及其形成方法

摘要

本发明是有关于一种半导体装置及其形成方法，该一种半导体接触结构包括铜插塞及复合阻障层，铜插塞是形成在介电材料中的双镶嵌、单镶嵌、或其它开口部之中，而复合阻障层是位在铜插塞及开口部的侧壁与底面之间。虽然其它适当的原子层沉积层亦可使用，但复合阻障层较佳是包含位在开口部的底面、且沿着开口部的侧边以原子层沉积层法所形成的氮化钽层，阻障材料是位在铜插塞及原子层沉积层之间；阻障层可为锰基阻障层、铬基阻障层、钒基阻障层、铌基阻障层、钛基阻障层、或其它适当的阻障层层；应用本发明的优点为，在特征尺寸持续减缩的半导体制造工业中，借着降低半导体装置中传导结构的电阻值及提高可靠度，可改善半导体装置整体速度表现。

主权项

1、一种形成半导体装置的方法，其特征在于其至少包括：利用一原子层沉积方法沉积一原子层沉积层，其中该原子层沉积层覆盖一开口部的一底面及一侧壁，且该开口部是延伸穿透一介电层；形成一锰基阻障层在该原子层沉积层上；以及沉积一铜在该开口部中，以使得该铜与该锰基阻障层相接触，并使得该铜实质填满该开口部，藉此形成一传导结构在该开口部中。