[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200810211944.8 | 申请日： | 2008-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673790A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 林昇柏;陈滨全;张超雄;陈建民 | 申请（专利权）人： | 先进开发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/498;H01L23/36;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管及其制造方法，其利用高温压合金属及黄光光刻技术制备一陶瓷铜箔基板，再通过固晶、打线工艺或覆晶技术形成发光二极管回路。最后，再使用环氧化物、聚硅氧烷树脂或硅胶等封装材料以转注成形、射出成形方式封装此一发光二极管。本发明提供的发光二极管及其制造方法，直接利用陶瓷衬底压合铜箔来当作衬底，并且可以在衬底上制作出适当的电极图形，使得发光二极管裸片能够安置在陶瓷衬底上，如此能达到高集成度、高散热能力与高散热均匀化的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种发光二极管，包含：一陶瓷基板，包含两个贯通孔，经导电膏材料填孔后用以导通陶瓷基板上下层的金属线路；一金属结构，位于该陶瓷基板两侧，并且该陶瓷基板两侧的该金属结构分别具有一第一开口与一第二开口，其中该金属结构包含一铜箔与一金属层，并且该铜箔位于该陶瓷基板与该金属层之间；一裸片，位于该金属结构上；一导线，该导线横跨该第一开口以分别连结于该裸片与金属结构；以及一封装结构，覆盖该裸片。
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