[发明专利]掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法及其基板结构有效
| 申请号： | 200810212093.9 | 申请日： | 2008-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN101656196A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李天锡;赖朝松;黄敬涵;何嘉哲;巫秉融;郑守钧 | 申请（专利权）人： | 中国砂轮企业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/18;H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L23/00;H01L27/12;H01L27/01 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿 宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法及其基板结构。其中该基板结构制造方法包括以下步骤：提供一目标基板，提供一原始基板，形成一脆化层于该原始基板上，形成一元件层于该脆化层上，掺杂氢离子，键合该元件层及该目标基板，以及分离该元件层及该原始基板；该基板结构包括：一目标基板，以及一元件层。本发明是藉由掺杂氢离子，以使得氢离子添入脆化层中，并可利用输入能量处理，而脆化碎裂脆化层以分离元件层与原始基板。由于氢离子是以掺杂的方式添入脆化层中，因此元件层的晶格结构在掺杂氢离子的过程中不会受到破坏而损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 离子 形成 具有 薄膜 板结 制造 方法 及其 | ||
【主权项】：
1、一种掺杂离子形成具有薄膜的基板结构制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一目标基板；提供一原始基板，其含有具有吸附氢离子功效的一掺杂元素；形成一脆化层于该原始基板上；形成一元件层于该脆化层上；掺杂氢离子，将其添入该脆化层；键合该元件层及该目标基板；以及分离该元件层及该原始基板，其是藉由输入一能量处理进行分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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